您當(dāng)前的位置：首頁(yè)>>產(chǎn)品與設(shè)備>>產(chǎn)品中心 產(chǎn)品中心
單位：西京電子科技有限公司
規(guī)格：Polysilicon Ignot
156×156多晶硅片技術(shù)參數(shù)
Technical parameters of 156×156 polysilicon film
類(lèi)型 Type | 晶體生長(zhǎng)方式 Crystal growth method | 熱交換法 |
導(dǎo)電類(lèi)型 Conductance type | P | |
性能 Capability | 電阻率（Ω?cm） Resistivity | 1.0～3.0,3.0～6.0 |
氧含量（atoms/cm3） Oxygen | ≤1.0×1018 | |
碳含量（atoms/cm3） Carbon | ≤8.0×1017 | |
少子壽命（μs） Life time | ≥4 | |
位錯(cuò)密度（/cm2） Dislocation density | ≤3000 | |
外形 Externality | 硅片外形尺寸（mm） Dimensions tolerance | 156×156±0.5 |
硅片直徑（mm） Wafer diameter | 165±0.5 | |
硅片中心厚度（μm） Center thickness | 200±20 | |
總厚度變化-ttv（μm） Total thickness variation | ≤30 | |
硅片表面粗糙度（μm） Surface roughness | ≤8 | |
硅片相鄰邊垂直度（°） Perpendicularity | 90±0.3 | |
硅片邊長(zhǎng)極差（mm） Length difference | ≤1.5 | |
硅片彎曲度（μm） Bow | ≤40 | |
外觀 Appearance | 邊緣缺陷 edge defect quantity 深度≤0.5mm edge defect depth≤0.5mm 長(zhǎng)度≤1.0mm edge defect length≤1.0mm | ≤2 |
表面污點(diǎn)/斑點(diǎn) Dirt | none | |
表面穿孔/裂紋 Hole/crack | none | |
目視翹曲 Obvious tactility | none |
